商品详情
书名：超宽禁带半导体金刚石单晶材料和场效应晶体管
定价：139.0
ISBN：9787030835178
作者：任泽阳
版次：1
出版时间：2026-01
内容提要：
本书以作者及其研究团队近年来的研究成果为基础，结合国内外研究进展，系统介绍超宽禁带半导体金刚石单晶材料同质外延研究进展和发展趋势。在高质量单晶金刚石材料生长基础上，进一步重点介绍金刚石场效应晶体管及金刚石器件在反相器和整流电路中的典型应用。全书共7章，内容包括绪论、单晶金刚石同质外延及加工、金刚石场效应晶体管基本原理及制备、高功函数介质金刚石场效应晶体管、金刚石原子层沉积氧化铝介质场效应晶体管、氢终端金刚石器件应用和总结与展望。
作者简介：
2010.08-2014.06 西安电子科技大学 学士 2014.09-2018.12 西安电子科技大学 博士 2019.06-2021.07 西安电子科技大学 讲师 2019.06-2023.02 西安电子科技大学 博士后 2021.07- 至 今 西安电子科技大学副教授微电子学与固体电子学作为通讯作者、第一作者发表论文26篇，其中SCI检索26篇，代表性著作如下。 1. High Conductivity Hydrogenated Boron and Silicon Co-Doped Diamond With 0.46 Ω·mm Ohmic Contact Resistance，IEEE Electron Device Letters，2024.01，4.9000，Q1； 2. High frequency single crystalline diamond MOSFET with high temperature (300 ℃) ALD grown Al2O3 dielectric，Results in Physics，2023.5，5.3，Q1； 3. Single Crystalline Diamond p-Channel Cascode and Inverter，IEEE Transactions on Electron Devices，2022.11，
定价：139.0
ISBN：9787030835178
作者：任泽阳
版次：1
出版时间：2026-01
内容提要：
本书以作者及其研究团队近年来的研究成果为基础，结合国内外研究进展，系统介绍超宽禁带半导体金刚石单晶材料同质外延研究进展和发展趋势。在高质量单晶金刚石材料生长基础上，进一步重点介绍金刚石场效应晶体管及金刚石器件在反相器和整流电路中的典型应用。全书共7章，内容包括绪论、单晶金刚石同质外延及加工、金刚石场效应晶体管基本原理及制备、高功函数介质金刚石场效应晶体管、金刚石原子层沉积氧化铝介质场效应晶体管、氢终端金刚石器件应用和总结与展望。
作者简介：
2010.08-2014.06 西安电子科技大学 学士 2014.09-2018.12 西安电子科技大学 博士 2019.06-2021.07 西安电子科技大学 讲师 2019.06-2023.02 西安电子科技大学 博士后 2021.07- 至 今 西安电子科技大学副教授微电子学与固体电子学作为通讯作者、第一作者发表论文26篇，其中SCI检索26篇，代表性著作如下。 1. High Conductivity Hydrogenated Boron and Silicon Co-Doped Diamond With 0.46 Ω·mm Ohmic Contact Resistance，IEEE Electron Device Letters，2024.01，4.9000，Q1； 2. High frequency single crystalline diamond MOSFET with high temperature (300 ℃) ALD grown Al2O3 dielectric，Results in Physics，2023.5，5.3，Q1； 3. Single Crystalline Diamond p-Channel Cascode and Inverter，IEEE Transactions on Electron Devices，2022.11，
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