二维GaN纳米片制备技术及特性调控/崔真,柳南,李恩玲

定价：79.00元

出版时间：2024-09

ISBN：978-7-5024-9996-9

9787502499969

内容提要

本书共分14章，主要内容包括两步法制备氮化镓纳米片、化学气相沉积法制备氮化镓纳米片、液态金属催化法制备二维氮化镓纳米片，掺杂、吸附、钝化对二维氮化镓纳米片电子和光学特性的调控机制，二维氮化镓/Si9C15异质结光催化性能和扭曲双层二维氮化镓电子、力学和光学特性。

本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业师生的教学参考用书。

目录

1绪论

1.1二维材料

1.1.1二维材料的性质

1.1.2二维材料的应用

1.2GaN材料

1.2.1GaN材料的性质

1.2.2二维GaN材料的研究背景

1.2.3不同构型的二维GaN

1.3二维GaN材料的制备方法

1.3.1化学气相沉积法

1.3.2模板转换生长法

参考文献

2理论计算基础

2.1第一性原理

2.1.1多粒子体系的Schrdinger方程

2.1.2Born-Oppenheimer近似

2.1.3Hartree-Fock方法

2.2密度泛函理论

2.2.1Hohenberg-Kohn定理和Kohn-Sham方程

2.2.2广义梯度近似

2.3密度泛函微扰理论

2.3.1密度泛函微扰理论

2.3.2晶体中的振动态计算

2.3.3伯恩有效电荷和LO-TO分裂

2.3.4拉曼光谱的计算

参考文献

3两步法制备GaN纳米片以及光谱分析

3.1实验制备部分

3.1.1实验用材及两步法制备方法

3.1.2实验步骤

3.1.3测试分析仪器

3.2γ-Ga2O3纳米片的制备与表征

3.2.1温度对γ-Ga2O3纳米片形貌的影响

3.2.2反应时间对γ-Ga2O3纳米片形貌的影响

3.2.3γ-Ga2O3纳米片的表征

3.2.4γ-Ga2O3纳米片的生长机理

3.3GaN纳米片的表征

3.4GaN纳米片的光谱特性

3.4.1GaN纳米片的拉曼光谱

3.4.2GaN纳米片的吸收光谱和光致发光谱

参考文献

4化学气相沉积法制备GaN纳米片

4.1实验试剂与仪器

4.1.1实验试剂与源材料

4.1.2实验仪器

4.2实验步骤

4.3不同工艺条件下GaN纳米片的制备与表征

4.3.1反应温度区间对GaN纳米片的影响

4.3.2升温速率对GaN纳米片形貌的影响

4.3.3快速降温对GaN纳米片形貌的影响

4.3.4NH3流量对GaN纳米片形貌的影响

4.3.5EDS表征分析

4.3.6XRD表征分析

4.3.7生长机理分析

参考文献

5液态金属催化法和氨化二维氧化镓法制备二维GaN纳米片

5.1实验原料

5.2实验原理

5.2.1液态金属催化法

5.2.2氨化二维氧化镓法

5.3实验步骤

5.3.1液态金属催化法

5.3.2氨化二维氧化镓法

5.4实验结果与讨论——液态金属催化法

5.4.1NH3流量对GaN形貌的影响

5.4.2反应时间对GaN形貌的影响

5.4.3Ga层厚度对GaN形貌的影响

5.4.4二维氮化镓的XRD表征

5.5实验结果与讨论——氨化二维氧化镓法

5.5.1不同反应温度对氧化镓前驱体形貌的影响

5.5.2不同氨气流量对氮化镓形貌的影响

5.5.3二维氧化镓的EDS表征

5.5.4二维氧化镓的XRD表征

5.5.5二维氮化镓的EDS表征

5.5.6二维氮化镓的XRD表征

参考文献

6工艺条件对二维GaN纳米材料的影响

6.1实验方案

6.1.1衬底的预处理

6.1.2生长二维GaN纳米材料

6.2实验材料

6.3实验设备

6.4实验原理

6.4.1液态金属基底催化剂

6.4.2生长二维GaN纳米材料

6.5结果与讨论

6.5.1生长温度对二维GaN纳米材料形貌的影响

6.5.2氨气流量对二维GaN纳米材料形貌的影响

6.5.3反应时间对二维GaN纳米材料形貌的影响

6.5.4二维GaN纳米材料EDS表征测试

6.5.5二维GaN纳米材料XRD表征测试

6.5.6二维GaN纳米材料拉曼光谱表征测试

参考文献

7Mg、C和S掺杂g-GaN的电子结构和物理性质

7.1研究方法与研究模型

7.1.1研究方法与计算参数

7.1.2研究模型

7.2结果与讨论

7.2.1掺杂体系稳定性验证

7.2.2电荷分布及电荷转移分析

7.2.3掺杂体系的能带结构与态密度

7.2.4功函数

7.2.5载流子迁移率计算

参考文献

8Cs、S和O吸附二维GaN体系的理论研究

8.1理论计算模型及方法

8.1.1理论模型

8.1.2计算方法

8.2计算结果及讨论

8.2.1GaN修饰体系结构

8.2.2吸附能

8.2.3电荷布居

8.2.4能带与态密度

8.2.5光学性质

参考文献

9钝化与掺杂二维GaN理论研究

9.1参数设定与模型构建

9.1.1软件参数设定

9.1.2二维GaN基材料模型构建

9.2计算结果与讨论

9.2.1形成能计算

9.2.2晶格参数优化

9.2.3能带与电子态密度

9.2.4差分电荷密度分析

9.2.5光学特性分析

参考文献

10二维GaN的电子与光谱特性

10.1屈曲结构GaN的电子与光谱特性

10.1.1屈曲GaN简介

10.1.2计算方法

10.1.3结果与讨论

10.2平面结构GaN的电子与光谱特性

10.2.1平面GaN简介

10.2.2结果与讨论

参考文献

11有机分子吸附g-GaN的电子特性与电荷转移

11.1研究方法与计算参数

11.2研究模型

11.2.1有机分子吸附模型构建

11.2.2最佳构型的确定

11.3电荷分布与能带结构分析

11.3.1电荷分布与电荷转移

11.3.2能带结构

11.4外部电场对吸附体系的影响

参考文献

12超卤素吸附g-GaN单层电子、磁和输运特性

12.1研究方法与模型

12.1.1研究方法与计算参数

12.1.2研究模型与稳定性

12.2结果与讨论

12.2.1电子特性

12.2.2磁特性

12.2.3力学特性

12.2.4输运特性

参考文献

13g-GaN/Si9C15异质结光催化性能

13.1研究方法与模型

13.1.1研究方法与计算参数

13.1.2研究模型与稳定性

13.2结果与讨论

13.2.1电子特性

13.2.2S型异质结机制与光学特性

13.2.3催化特性

13.2.4光电特性

参考文献

14扭曲双层g-GaN电子、力学和光学特性

14.1研究方法与模型

14.1.1研究方法与计算参数

14.1.2研究模型与稳定性

14.2结果与讨论

14.2.1电子特性

14.2.2力学特性

14.2.3光学特性

参考文献