《矽晶圓半導體材料技術(第七版)(精裝本) 》

作者： 林明獻  

出版社：全華圖書  

出版日期：2023/03/20

語言：繁體中文

ISBN：9786263284104

叢書系列：實用電子

規格：軟精裝 / 616頁 / 19 x 26 x 3.08 cm / 普通級 / 單色印刷 / 七版

出版地：中国台灣

本書分類：專業/教科書> 電機資訊類> 電子

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內容簡介

由於矽晶圓材料是半導體工業的基礎，因此從事半導體領域之學術研究與工程人員，都必須深入的瞭解矽晶圓的基本性質與製造過程。

因此本書內容上採深入淺出的方式敘述，除了介紹矽晶圓工業的歷史演進與產業現況之外，尚包含了以下單元：矽晶的基本性質、多晶矽的製造技術、單晶生長、矽晶缺陷、矽晶之加工成型、性質檢測等單元。

作者將本書的重點放在矽晶圓製造流程的介紹上。適用於晶圓半導體材料技術有興趣之讀者及相關從業人員。

本書特色

1.本書為國內*一本介紹矽晶圓材料的專業參考書籍。

2.詳細介紹矽晶的基本性質，矽晶圓材料的製造流程、矽晶圓缺陷控制以及矽晶圓性質檢測等單元，是一本從事半導體領域之學術研究與工程人員必備的專業書籍。

目錄

CH1 緒論

CH2 矽晶的性質

2-1 結晶性質

2-2 半導體物理與矽晶的電性

2-3 矽的光學性質

2-4 矽的熱性質

2-5 矽的機械性質

CH3 多晶矽原料的生產技術

3-1 塊狀多晶矽製造技術-西門子方法

3-2 塊狀多晶矽製造技術-AsiMi方法

3-3 粒狀多晶矽製造技術

CH4 單晶生長

4-1 單晶生長理論

4-2 CZ矽晶生長法(Czochralski Pulling)

4-3 MCZ矽單晶生長法

4-4 CCZ矽單晶生長法

4-5 FZ矽單晶生長法

CH5 矽晶圓缺陷

5-1 CZ矽晶的點缺陷與微缺陷

5-2 氧析出物(Oxygen Precipitation)

5-3 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults)

CH6 矽晶圓之加工成型

6-1 切斷(Cropping)

6-2 外徑磨削(OD Grinding)

6-3 方位指定加工─平邊V-型槽(Flat & Notch Grinding)

6-4 切片(Slicing)

6-5 圓邊(Edge Rounding)

6-6 研磨(Lapping)

6-7 雙盤研磨(Double Disk Grinding, DDG)

6-8 蝕刻(Etching)

6-9 拋光(Polishing)

6-10 清洗(Cleaning)

6-11 矽晶圓的背面處理

CH7 矽磊晶生長技術

7-1 CVD 基本原理

7-2 矽磊晶的生長

7-3 矽磊晶的性質

CH8 矽晶圓性質之檢驗

8-1 PN 判定

8-2 電阻量測

8-3 結晶軸方向檢定

8-4 氧濃度的測定

8-5 Lifetime量測技術

8-6 晶圓缺陷檢驗與超微量分析技術

8-7 晶圓表面微粒之量測

8-8 金屬雜質之量測

8-9 平坦度之量測

CH9 矽晶圓在半導體上的應用

9-1 記憶體(Memory)

9-2 邏輯積體電路(Logic IC)

9-3 功率半導體元件(Power Semiconductor Device)

附錄A 晶格幾何學

附錄B 基本常數

附錄C 矽的基本性質

附錄D 矽晶圓材料及半導體工業常用名詞之解釋

附錄E 矽晶圓片的重要規格參數