书名：半导体薄膜技术与物理（第三版）     
ISBN：9787308209489  
作者：叶志镇  
 

内容提要：  
本书全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。diyi章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体chao晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。  
本教材文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。  



作者简介：  
叶志镇，中国科学院院士，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。  

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