《碳化硅MOSFET封装、驱动及应用》系统地介绍了碳化硅MOSFET在应用中的关键技术要领及核心问题，重点在于碳化硅MOSFET的封装、特性及测试和驱动，具体内容包括碳化硅器件概述、功率器件封装基础、静动态特性、短路及串并联特性、应用问题及解决方法、栅极驱动和新型栅极驱动等内容。本书内容设置注重前后知识的衔接和逻辑关系，构建系统性知识框架。书中内容主要针对碳化硅MOSFET，但是部分内容如封装共性理论基础、特性测试、驱动设计等也适用于硅IGBT/MOSFET或氮化镓HEMT。

　　本书适合于功率半导体领域的工程技术人员和研发人员，以及高等院校相关专业师生等阅读和参考。

前言

第1章碳化硅器件概述1

11碳化硅器件简介1

111半导体器件发展史1

112碳化硅材料特性3

113碳化硅MOSFET应用概述5

12半导体基本知识6

121能带6

122载流子8

123单极型器件和双极型器件10

124PN结特性10

13芯片结构12

131平面栅13

132沟槽栅14

14未来展望15

141芯片技术15

142封装技术16

15本章小结19

参考文献19

第2章功率器件封装基础21

21器件封装基本结构21

211塑封器件结构21

212功率模块结构23

22电学基础26

221寄生电阻26

222寄生电感27

223寄生电容29

23热学基础31

231热学基本量31

232热传递方式33

233热网络模型35

24本章小结38

参考文献38

第3章静动态特性40

31基本知识40

311等效电路40

312工作区41

32稳态特性43

321导通稳态43

322关断稳态47

323第三象限导通状态49

33动态特性51

331寄生电容模型51

332开通过程52

333关断过程55

334关键指标57

335测试方法61

336信号测量方法66

34本章小结70

参考文献71

第4章短路及串并联特性72

41短路特性72

411短路类型72

412短路电流73

413短路可靠性影响因素75

414短路测试方法75

42并联特性77

421静态行为78

422动态行为80

423电流失衡度94

43串联特性96

431静态行为96

432动态行为97

433动态/静态耦合效应99

434电压失衡度100

435串联/并联特性对比102

44安全工作区103

441正向偏置安全工作区103

442反向偏置安全工作区105

45本章小结106

参考文献107

第5章应用问题及解决方法109

51电流变化率109

511影响因素分析109

512电压过冲110

513共源电感113

52电压变化率115

521电流过冲115

522含去耦电容的开关振荡117

523无去耦电容的电路等效模型124

524串扰噪声和栅极振荡129

53本章小结134

参考文献135

第6章栅极驱动137

61栅极驱动结构138

611基本结构138

612栅极驱动等效电路139

613关键参数140

62关键部件141

621信号隔离141

622驱动电源143

623缓冲放大电路148

63保护及状态检测149

631短路保护149

632欠电压闭锁152

633有源米勒钳位153

634结温监测155

635防直通保护及硬件死区158

64驱动电路设计161

641关键参数选择161

642栅极驱动电路设计要点及案例分析166

65本章小结168

参考文献168

第7章新型栅极驱动170

71开关速度控制基本思路171

72有源栅极驱动基本方法172

721可变驱动电阻法172

722可变驱动电流法174

723可变驱动电压法175

73有源栅极驱动的控制策略177

731开环控制177

732直接反馈控制178

733间接反馈控制180

734时序控制策略180

74有源栅极驱动的应用181

741应用鲁棒性提升181

742长期可靠性提升183

743器件并联均流184

744器件串联均压185

75本章小结186

参考文献187