《图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》
加快国产替代，振我中华之芯！213个知识点，206张工艺与结构图例；日本著名半导体专家佐藤淳一从业30多年积淀；电子科技大学电子科学与工程学院教授王忆文、半导体工艺高级实验师王姝娅审译；前段制程、清洗与干燥、离子注入和热处理、光刻、刻蚀、成膜、平坦化、CMOS、后段制程。
《图解入门 半导体制造设备基础与构造精讲(原书第3版)》
宣传词： 加快国产替代，振我中华之芯！ 229个知识点，188张设备与构造图表 日本著名半导体专家佐藤淳一从业30多年积淀 国内半导体行业知名专家，《半导体简史》作者王齐推荐 电子科技大学电子科学与工程学院教授王忆文推荐 华为公司高级顾问、信息通信行业专家李翔宇推荐 无尘室、清洗与干燥、离子注入和热处理、光刻、刻蚀、成膜、平坦化、检测和分析、后段制程
《一本书读懂芯片制程设备》
1.详解300多种细分类别设备，阐述工作原理、发展历程及国内外市场情况，助力攻克设备核心技术，实现设备制造自主可控；2.本书整理了集成电路芯片制程中的各种设备及其国内外发展现状，包括晶圆制备设备、热工艺设备、光刻设备、刻蚀设备、离子注入机、薄膜淀积设备、检测设备、化学机械抛光设备及封装设备，详细介绍了每类设备的工作原理、发展历程以及当前的国内外市场情况，并对每类设备的国内外代表性企业及其代表性产品进行了介绍，本书对集成电路芯片制程设备感兴趣的读者来说，是不错的知识来源。3.本书是清华大学和电子科大专家倾力打造之作，是作者从业几十年科研研究和教学经验的结晶，内容极具权威性。
《图解入门 半导体元器件精讲》
东芝株式会社指定内部培训用书日本著名半导体专家执行直之从业40多年积淀38道习题 159张图表 163个公式 168个知识点本书附有：常量表/室温下（300K）的Si基本常量/从基本专利到实用化花了32年的MOS晶体管/麦克斯韦-玻尔兹曼分布函数/关于电子密度n以及空穴密度p的公式/质量作用定律/PN结的耗尽层宽度/载流子的产生与复合/小信号下的共发射极电路的电流放大倍数/带隙变窄以及少数载流子迁移率/阈值电压Vth/关于漏极电流ID饱和的解释/
《图解入门 功率半导体基础与工艺精讲 原书第3版》
当前IGBT/SiC/GaN的研究进展及未来趋势探析 借鉴日本功率半导体制造的经验 剖析从水银整流器进化到IGBT的原因 兼顾高电压与高速度 脱碳社会与功率半导体 实现快速高效充电的SiC逆变器 为何GaN比SiC性能更优秀/6英寸SiC量产/4英寸GaN实证 日本半导体专家佐藤淳一从业30多年积淀