图解入门半导体系列(器件缺陷+元器件+设备基础与构造+制造工艺)(全4册)
作 者:(日)执行直之 等 著 娄煜 译
定 价:396
出 版 社:机械工业出版社
出版日期:2024年05月01日
页 数:
装 帧:平装
ISBN:9787111730668
目录
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《图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲》
《图解入门——半导体元器件精讲》
《图解入门——半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》
《图解入门——半导体制造设备基础与构造精讲 原书第3版》
内容介绍
《图解入门——半导体器件缺陷与失效分析技术精讲》共分为4章，内容包括半导体器件缺陷及失效分析技术概要、硅集成电路(LSI)的失效分析技术、功率器件的缺陷及失效分析技术、化合物半导体发光器件的缺陷及失效分析技术。笔者在书中各处开设了专栏，用以介绍每个领域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例题，这些例题出自日本科学技术联盟主办的“初级可靠性技术者”资格认定考试，题型为5选1，希望大家可以利用这些例题来测试一下自身的水平。本书的读者包括：半导体器件工艺及器件的相关技术人员，可靠性技术人员，失效分析技术人员，试验、分析、实验的负责人，以及大学生、研究生等。因此，罗列的内容层次从基础介绍到近期新研究，覆盖范围较广。
《图解入门——半导体元器件精讲》改编自东芝株式会社内部培训用书。为了让读者理解以硅（Si）为中心的半导体元器件，笔者用了大量的图解方式进行说明。理解半导体元器件原理有......
(日)执行直之 等 著 娄煜 译
山本秀和，北海道大学研究生院工学研究科电气工学博士。在三菱电机从事Si-LSI及功率器件的研究开发。现任千叶工业大学教授，从事功率器件和功率器件产品的分析技术研究。曾任北海道大学客座教授、功率器件赋能协会理事、新金属协会硅晶体分析技术国际标准审议委员会委员长、新金属协会半导体供应链研究会副委员长等。上田修，东京大学工学部物理工学博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)从事半导体中晶格缺陷的分析以及半导体发光器件、电子器件劣化机制阐明的研究。2005—2019年，在金泽工业大学研究生院工学研究科任教授。现为明治大学客座教授。二川清，大阪大学研究生院基础工学研究科物理系工学博士。......
