电力半导体新器件及其制造技术（电力电子新技术系列图书/涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件（包括GTO、IGCT、ETO及MTO）、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等）

￥49.50

运费：	¥ 0.00-15.00
库存：	388 件

立即购买

支付：: 微信支付银行卡支付宝

电力半导体新器件及其制造技术（电力电子新技术系列图书/涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件（包括GTO、IGCT、ETO及MTO）、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等）商品图0

商品详情

商品基本信息
商品名称：	电力半导体新器件及其制造技术
作者：	王彩琳
市场价：	99.00
ISBN号：	9787111475729
出版社：	机械工业出版社

序言
前言

第1章绪论1

11电力半导体器件概述1
111与电力电子技术关系1
112定义与分类3
12发展概况6
121电力半导体器件的发展6
122制造技术的发展10
参考文献13

第2章功率二极管14

21普通功率二极管14
211结构类型14
212工作原理与I-U特性15
213静态与动态特性17
22快速软恢复二极管24
221结构类型25
222软恢复的机理及控制28
23功率肖特基二极管35
231结构类型与制作工艺36
232工作原理与I-U特性38
233静态特性39
24功率二极管的设计43
241普通功率二极管的设计43
242快速软恢复二极管的设计45
243功率肖特基二极管的设计47
25功率二极管的应用与失效分析48
251安全工作区及其限制因素48
252失效分析51
253特点与应用范围53
参考文献54

第3章晶闸管及其集成器件57

31普通晶闸管结构57
311结构类型57
312工作原理与特性60
313静态与动态特性65
32门极关断晶闸管（GTO）76
321结构概述76
322工作原理与特性79
323静态与动态特性82
324硬驱动技术86
33集成门极换流晶闸管（IGCT）88
331结构特点88
332工作原理与I-U特性92
333静态与动态特性97
334关键技术及其原理100
335驱动电路与特性参数111
34其他集成器件116
341发射极关断晶闸管（ETO）116
342MOS关断晶闸管（MTO）119
35晶闸管的设计122
351设计方法概述122
352超高压晶闸管的设计125
353大电流GTO的设计128
354IGCT的设计131
36晶闸管的应用可靠性与失效分析136
361普通晶闸管的失效分析136
362GTO的可靠性与失效分析138
363IGCT的可靠性与失效分析142
364晶闸管的特点与
应用范围149
参考文献150

第4章功率MOSFET155

41功率MOSFET的结构类型及特点155
411基本结构156
412横向结构158
42功率MOSFET的工作原理与特性159
421等效电路159
422工作原理与特性参数160
423静态与动态特性167
43超结MOSFET180
431基本结构及等效电路181
432派生结构182
433静态与动态特性185
44功率MOSFET的设计190
441纵向结构的设计190
442横向结构的设计191
45功率MOSFET的应用可靠性与失效分析194
451应用可靠性194
452失效分析196
453特点与应用范围201
参考文献201

第5章绝缘栅双极型晶体管（IGBT）205

51普通IGBT205
511结构特点与典型工艺205
512工作原理与I-U特性211
513静态与动态特性218
52注入增强型IGBT234
521结构特点与典型工艺234
522工作原理与注入增强效应238
523静态与动态特性242
53集成化IGBT245
531逆阻IGBT245
532双向IGBT247
533逆导IGBT249
534双模式IGBT253
535超结IGBT254
54IGBT的设计257
541纵向结构的设计257
542横向结构的设计260
543防闩锁的设计264
55IGBT的应用可靠性与失效分析266
551可靠性266
552失效分析273
553应用与发展趋势280
参考文献282

第6章功率集成技术287

61功率集成技术简介287
611功率集成概念287
612功率集成形式287
613功率集成意义288
62功率集成电路289
621概述289
622电场调制技术290
623横向高压器件292
624隔离技术308
625设计技术314
626发展与应用范围318
63功率模块320
631概述320
632基本构成321
633封装技术325
634特能与可靠性333
635失效分析与安全性339
636发展趋势341
参考文献342

第7章电力半导体器件的结终端技术347

71常见的结终端技术347
711平面结终端技术347
712台面结终端技术352
713结终端特性的表征357
714结终端的制作工艺358
72常用结终端结构359
721功率二极管的结终端结构360
722MOS型浅结器件的结终端结构361
723晶闸管的结终端结构363
724HVIC的结终端结构365
73结终端结构的设计366
731概述366
732浅结器件复合结终端的设计369
733深结器件复合结终端的设计372
参考文献376

第8章电力半导体器件的制造技术380

81概述380
811发展概况380
812主要制造技术内容381
82衬底材料制备技术382
821硅衬底382
822SOI衬底384
83基本制造工艺385
831热氧化385
832热扩散388
833离子注入398
834光刻与刻蚀403
835化学气相淀积410
836物理气相淀积413
837背面减薄工艺414
838PIC典型工艺415
84寿命控制技术417
841少子寿命417
842吸杂技术419
843辐照技术421
844应用举例426
85硅-硅直接键合技术429
851技术特点429
852键合的机理与方法430
853应用举例432
86封装技术438
861中小功率器件的封装438
862大功率器件的封装441
参考文献443

第9章电力半导体器件的应用共性技术449

91电力半导体器件的驱动电路449
911概述449
912电流驱动450
913电压驱动453
92电力半导体器件的串并联技术455
921概述455
922功率二极管的串并联456
923普通晶闸管的串并联458
924GTO的串并联460
925IGCT的串并联462
926IGBT模块的串并联465
93电力半导体器件的过应力保护469
931概述469
932保护元器件473
933吸收电路476
934保护电路477
935软开关技术485
94电力半导体器件的热传输与热分析486
941功耗486
942热传输与热阻488
943热分析493
95电力半导体器件的合理使用496
951可靠性496
952有效保护497
953降额使用498
参考文献498

第10章电力半导体器件的数值分析与仿真技术500

101数值分析方法500
1011概述500
1012电特性仿真502
1013热特性仿真504
102MEDICI软件使用实例506
1021使用方法506
1022仿真实例508

103ISE软件使用实例519

1031DIOS模块519

1032MDRAW模块523

1033DESSIS模块533

104ANSYS软件使用实例542

1041软件介绍543

1042分析实例544

参考文献554

内容简介

本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件[（包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管（IGCT））]、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区，功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强（IE）等新技术进行了详细介绍。