《NAND Flash固态存储优化与差错控制：原理、算法与智能策略》深入探讨了 NAND Flash固态存储领域的核心技术和挑战，从基本原理出发，逐步展开对错误成因、管理优化算法、差错控制技术、纠错码实现、智能算法建模以及3_D闪存的特殊优化策略的详细论述。全书结构清晰，内容涵盖广泛，旨在为相关领域的研究者、工程师及技术人员提供一套全面而深入的知识体系，助力他们在NAND Flash固态存储的设计、优化与运维方面取得新的突破。通过《NAND Flash固态存储优化与差错控制：原理、算法与智能策略》，读者能够深入理解NAND Flash的物理特性错误机制以及如何通过先进的算法和智能策略来提升数据存储的可靠性、耐用性和性能表现。《NAND Flash固态存储优化与差错控制：原理、算法与智能策略》内容包括了作者多年来取得的科研成果，可以使读者比较全面地了解基于NAND Flash的固态存储方面的研究进展。《NAND Flash固态存储优化与差错控制：原理、算法与智能策略》可作为计算机存储等方向的本科生和研究生的学习用书，也可作为从事闪存技术研发、生产、应用的工程师和科研人员的参考资料。

第1章绪论11.1研究背景11.2基于NANDFlash的固态存储的基本原理21.3NANDFlash错误成因及特征分析71.4固态存储管理优化算法研究现状121.5本书内容的章节安排21第2章基于闪存介质数据失效模式的差错控制技术222.1基于数据模式差异的联合编码策略222.2基于页耐受力差异的FTL优化策略402.3基于错误率预测模型的PGWL策略622.4延长NANDFlash数据可靠存储时间管理策略82第3章基于改进纠错码的闪存数据存储信道编码技术933.1纠错码综述933.2BCH算法的实现与优化973.3面向闪存系统的LDPC码技术研究117第4章基于智能算法的闪存全寿命周期错误建模1584.1智能算法建模综述1584.2基于支持向量回归法的NANDFlash错误率预测研究1624.3基于机器学习的闪存错误率预测方法研究187第5章面向3－D闪存的RRV校准方法2285.13－D闪存RRV校准背景及阈值电压分布测试方法2285.2基于3－D闪存多维度底层错误特性挖掘的RRV校准方法2335.3基于3－D闪存温度特性挖掘的RRV校准方法253参考文献293名词索引 315